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2014

  • 分類：發展歷史
  • 作者：
  • 來源：
  • 發布時間：2022-09-26
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【概要描述】Ø 2 inch量產中試，位錯密度10⁵cm⁻²。

2014

【概要描述】Ø 2 inch量產中試，位錯密度10⁵cm⁻²。

  • 分類：發展歷史
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  • 發布時間：2022-09-26
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開展了4英寸GaN單晶襯底的研發；獲得國家科技部863項目“大尺寸GaN單晶襯底制備及同質外延”項目的支持

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