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大功率器件專用氮化鎵單晶襯底

GaN SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE FOR HIGH POWER DEVICES

產品中心

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4英寸自支撐氮化鎵晶片（非摻）
4英寸自支撐氮化鎵晶片（非摻）
4英寸自支撐氮化鎵晶片（非摻）
規格：GaN-FS-C-U-C100 尺寸：Ф 100 ± 0.1 mm 厚度：650 ± 50 μm 電阻率(300k)：< 0.5 Ω*cm
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4英寸自支撐氮化鎵晶片（鐵摻）
4英寸自支撐氮化鎵晶片（鐵摻）
4英寸自支撐氮化鎵晶片（鐵摻）
規格：GaN-FS-C-SI-C100 尺寸：Ф 100 ±1 mm 厚度：420 ±50μm 電阻率(300k)：>1×10⁹Ω*cm
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2英寸自支撐氮化鎵晶片（非摻）
2英寸自支撐氮化鎵晶片（非摻）
2英寸自支撐氮化鎵晶片（非摻）
規格：GaN-FS-C-U-C50 尺寸：Ф 50.8 ± 1 mm 厚度：350 ± 25 μm 電阻率(300k)：< 0.5 Ω*cm
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4英寸自支撐氮化鎵晶片（非摻）
4英寸自支撐氮化鎵晶片（非摻）
4英寸自支撐氮化鎵晶片（非摻）
規格：GaN-FS-C-U-C100 尺寸：Ф 100 ± 0.1 mm 厚度：650 ± 50 μm 電阻率(300k)：< 0.5 Ω*cm
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4英寸自支撐氮化鎵晶片（鐵摻）
4英寸自支撐氮化鎵晶片（鐵摻）
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規格：GaN-FS-C-SI-C100 尺寸：Ф 100 ±1 mm 厚度：420 ±50μm 電阻率(300k)：>1×10⁹Ω*cm
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2英寸自支撐氮化鎵晶片（非摻）
2英寸自支撐氮化鎵晶片（非摻）
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規格：GaN-FS-C-U-C50 尺寸：Ф 50.8 ± 1 mm 厚度：350 ± 25 μm 電阻率(300k)：< 0.5 Ω*cm
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專業的高質量氮化鎵襯底供應商

蘇州納維科技有限公司致力於第三代半導體核心關鍵材料——氮化鎵（GaN）單晶襯底的研發與產業化，經過15年努力，實現了2英寸氮化鎵單晶襯底的生產、完成了4英寸產品的工程化技術開發、突破了6英寸的關鍵技術，現在是國內和國際少數幾家之壹能夠批量提供2英寸氮化鎵單晶產品的單位；氮化鎵產品性能綜合指標國際領先，未來3年重點實現將技術先發優勢轉化為在全球的市場優勢。

 

蘇州納維科技有限公司成立於2007年，專註於高質量氮化鎵半導體單晶材料的生長。氮化鎵是第三代半導體的代表，它是節能照明、激光投影顯示、智能電網、新能源汽車、5G通信等產業的核心基礎材料，預計到未來將形成萬億美元以上的市場規模。

 

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蘇州納維科技有限公司成立於2007年，專註於高質量氮化鎵半導體單晶材料的生長。氮化鎵是第三代半導體的代表，它是節能照明、激光投影顯示、智能電網、新能源汽車、5G通信等產業的核心基礎材料，預計到2025年將形成萬億美元以上的市場規模。

 

2007年
公司成立
500+
服務客戶
60+
核心專利
50+
邀請報告
10億+
總投資

產品應用

Applications ——

氮化鎵是第三代半導體的代表，它是節能照明、激光投影顯示、智能電網、新能源汽車、5G通信等產業的核心基礎材料，預計到未來將形成萬億美元以上的市場規模...

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射頻電子領域

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